近日，乾照光电取得多项LED芯片相关专利，分别是“一种LED芯片及其制备方法”、“一种垂直结构LED芯片”、“一种LED外延结构“。
其中，“一种LED芯片及其制备方法”，公开号CN117117055A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过该方法在保证电极被钝化层覆盖以解决金属逆压迁移问题的同时，通过撕膜即可形成钝化层图形，减少光刻次数，简化工艺，降低成本。
“一种垂直结构LED芯片”，授权公告号CN220106568U，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；
同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
“一种LED外延结构”授权公告号CN220121867U，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型掺杂浓度不一致。
进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；
则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。
使得所述N型半导体层的N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
Micro LED凭借具备更高的发光效率、更长的寿命、更高的像素密度以及更强的画质拟真度被业界认为是视觉时代下的最优解，Mini LED作为其过渡阶段，现已在多个领域实现量产。
芯片作为Micro LED产业化的关键节点，掌握了Micro LED发展的重要命脉。
乾照光电作为国内LED芯片龙头厂商之一，在Micro LED领域布局处于市场领先地位，已开发出垂直Micro LED芯片样品可以供客户试样，并与多个重要客户合作紧密，共同促进相关技术迭代，争取早日实现量产。
值得一提的是，在今年八月份，乾照光电发布公告称，公司与南昌市新建区人民政府于近日签署了《海信乾照江西半导体基地项目协议书》，就公司在新建区投资建设“海信乾照江西半导体基地项目”初步达成协议。
公告显示，“海信乾照江西半导体基地项目”选址江西新建经济开发区，规划使用乾照光电南昌基地现有厂房和土地资源生产LED产品，实现月产能50万片（折2寸片）。
审核编辑：汤梓红
